Доска объявлений
 Каталог статей
Поиск :
объявлений
Доска объявлений 1ДОСКА.RU



Особенности замены транзисторов в сотовой аппаратуре

При разработке, создании и эксплуатации радиотехники следует принимать во внимание ее специфические параметры. Высокая надежность бытовой электроники может быть обеспечена только при учете таких факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость параметров от режима работы, а также изменение характеристик транзисторов в процессе эксплуатации.

Полупроводниковые приборы сохраняют свои параметры в установленных пределах в условиях работы и хранения, характерных для разных видов и классов аппаратуры. Условия эксплуатации техники могут изменяться в широких пределах. Данные условия характеризуются внешними центробежными нагрузками и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).

Общие требования, справедливые для всех транзисторов, предназначенных для применения в аппаратуре определенного класса, содержатся в общих технических условиях. Нормы на значения электрических характеристик и специфические требования, относящиеся к конкретному типу транзистора, содержатся в частных технических условиях.

Для удобства разработки и ремонта основные аналоги транзисторов и их схемы собраны в справочнике. К преимуществам электронного справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск искомого транзистора по маркировке и аналогу.

Под воздействием разных факторов окружающей среды некоторые параметры транзисторов и свойства могут изменяться. Для герметичной защиты транзисторных структур от внешних факторов служат корпуса приборов. Конструктивное оформление электронных приборов рассчитано на их использование в составе аппаратуры при любых допустимых условиях эксплуатации. Важно запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании полупроводниковых приборов в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации в условиях повышенной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами рекомендуется покрывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные транзисторы, разработанные для применения в микросхемах и микросборках. Кристаллы таких транзисторов защищены специальным покрытием, но оно не дает хорошей защиты от воздействия окружающей среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, конструктор обязан не только учесть характерные особенности транзисторов на этапе разработки аппаратуры, но и осуществить соответствующие условия ее эксплуатации и хранения.

Транзисторы - трехполюсники универсального применения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе устройств, для которых они разработаны, но и во многих других приборах. Однако набор параметров и характеристик, находящихся в Интернет справочнике, соответствует главному назначению транзистора. В справочнике приводятся значения параметров транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов работы. Рабочий режим транзистора в проектируемом блоке часто отличается от того режима, для которого есть параметры в ТУ.

Значения большинства характеристик транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры значения параметров от режима заметно более сильно. В справочнике даны, как правило, типовые (усредненные) зависимости характеристик транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Данные зависимости обязаны использоваться при нахождении типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как данные характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Этот диапазон ограничивается минимальным или максимальным значением, указанным в справочнике. Некоторые параметры имеют двустороннее ограничение.

При настройке устройств необходимо стремиться обеспечить их работоспособность в возможно более больших интервалах изменений важнейших характеристик транзисторов. Разброс параметров транзисторов и их изменение во времени при настройке могут быть учтены расчетными методами или экспериментально — методом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом работают в режиме обеднения канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при преобразовании потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до напряжения запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при различных значениях потенциала на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.




Тематические статьи